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NdGaO3(镓酸钕)晶体

发布时间:2024-04-13  浏览次数:48


NdGaO3晶体

NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且无结构相变,在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。

产品名称

镓酸钕(NdGaO3)晶体基片

技术参数

晶体结构:正交晶系

晶格常数:a=5.43 Å  b=5.50 Å  c=7.71Å  

密度:7.57 g/cm3

熔点:1600 °C

硬度:5.9 Mohs

介电常数:<20300k

生长方法:提拉法

产品规格

常规晶向: 

公差:±0.5°

常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

抛光情况:单抛 、双抛粗糙度:<5A

注:可根据客户需求提供特殊的尺寸和方向;

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理



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