发布时间:2024-04-12 浏览次数:54
MgO:LiNbO3晶片
纯同成份铌酸锂晶体的缺点是抗激光损伤阙值很低,这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后,所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级,极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收边紫移至310mm,OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
产品名称
光学级掺镁铌酸锂(MgO:LiNbO3)晶片
产品规格
晶体结构:三方晶系
晶格常数:a=5.147Å c=13.856Å
密度:4.7g/cm3
熔点:1253℃
生长方法:提拉法
产品规格:
常规晶向:Z cut
晶向公差:±0.5°
常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm
抛光情况:单抛、双抛、细磨
注:尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷:
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装:
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理